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性爱宝典 英特尔先进封装：助力AI芯片高效集成的本领力量
在AI发展的海浪中，一项本领正在从“幕后”走向“台前”性爱宝典，也等于半导体先进封装（advanced packaging）。这项本领概略在单个建设内集成不同功能、制程、尺寸、厂商的芯粒（chiplet），以生动性强、能效比高、本钱经济的方式打造系统级芯片（SoC）。因此，越来越多的AI芯片厂商爱重这项本领。
英特尔自本世纪70年代起捏续立异，深耕封装本领，辘集了朝上50年的丰富警戒。面向AI时期，英特尔正在与生态系统伙伴、基板供应商谀媚，共同制定轨范，引颈所有这个词行业应用先进封装本领。秉捏“系统工艺协同优化”（STCO）的理念，英特尔代工不仅概略向客户提供传统的封装、互连、基板等本领，还涵盖了系统级架构和绸缪奇迹，以及热督察和功耗督察等全办法撑捏使命。
丰富全面的本领组合
英特尔代工的先进系统封装及测试（Intel Foundry ASAT）的本领组合，包括FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB 2.5D、EMIB 3.5D、Foveros 2.5D & 3D和Foveros Direct 3D等多种本领。
左上：FCBGA 2D、右上：EMIB 2.5D、左下：Foveros 2.5D & 3D、右下：EMIB 3.5D性爱宝典
FCBGA 2D是传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，适用于本钱明锐、I/O数目较少的居品。FCBGA 2D+在此基础上加多了基板层叠本领（substrate stacking），概略减少高密度互连的面积，裁减本钱，卓越相宜网罗和交换建设等居品。EMIB（镶嵌式多芯片互连桥接）2.5D本领通过基板内的小型硅桥衔接芯片，适用于高密度的芯片间衔接，在AI和高性能筹划（HPC）界限默契出色。EMIB 3.5D则在此基础上引入了3D堆叠本领，芯片不错垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB本领衔接，加多了堆叠的生动性，概略凭据IP的特质聘用垂直或水平堆叠，同期幸免使用大型的中介层。Foveros 2.5D和3D本领接管基于焊料的衔接方式，而不是基底衔接，相宜高速I/O与较小芯片组分散的绸缪。Foveros Direct 3D本领则通过铜和铜胜利键合，结束更高的互连带宽和更低的功耗，从而提供超卓的性能。值得凝视的是，这些本领并非互斥，而是在一个封装中不错同期接管，为复杂芯片的绸缪提供了极大的生动性。在交易层面，这体现了英特尔对封装细分市集的宝贵。
EMIB：AI芯片封装的理念念聘用
针对AI芯片的先进封装需求，与业界其它晶圆级2.5D本领，举例硅中介层、重布线层（RDL）比较，EMIB 2.5D本领具有诸多上风。
第一，本钱效益。EMIB本领接管的硅桥尺寸相等小，比较于传统的大尺寸中介层，制造时能更高效地应用晶圆面积，减少空间和资源的奢靡，详尽本钱更低。
第二，良率普及。EMIB本领不详了晶圆级封装（wafer level assembly）这一措施，减少了模具、凸点等复杂工艺带来的良率耗费风险，从而提高了合座出产历程的良率。
第三，出产后果。与晶圆级本领比较，EMIB本领的制造措施更少、复杂度更低，因此出产周期更短，概略为客户从简宝贵的时候。在市集动态快速变化的情况下，这种时候上风概略匡助客户更快地取得居品考证数据，加快居品上市。
第四，尺寸优化。晶圆级本领需要在基板上方添加中介层，而EMIB则将硅桥镶嵌基板，极地面提高了基板面积的应用率。同期，基板的尺寸与集成电路面板的阵势相匹配，接管EMIB概略在单个封装中集成更多芯片，从而容纳更多的使命负载。
第五，供应链与产能。英特尔领有锻练的供应链和迷漫的产能，确保了EMIB概略逍遥客户对先进封装督察决策的需求。
瞻望翌日
英特尔正在研发120×120毫米的超大封装，并洽商在翌日几年内向市集推出玻璃基板（glass substrate）。与现在接管的有机基板比较，玻璃基板具有超低平面度、更好的热安稳性和机械安稳性等特有性能，概略大幅提高基板上的互连密度，为AI芯片的封装带来新的冲突。
英特尔在AI时期的先进封装本领界限不休立异性爱宝典，将延续引颈和鞭策行业发展，为环球半导体产业注入新的活力。